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ESD是Electrostatic Discharge的缩写，即静电放电。静电是一种电荷积累，能量有限，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。静电测试主要是模拟人体对产品的干扰过程，检验产品在相应的电磁环境中的抗干扰能力。

轻微现象可能会造成系统误动作，严重的现象损坏芯片内部电路。EOS则典型的多由电源和测试设备产生，EOS事件一般会造成金属熔化短路、芯片损坏、烧毁、功能丧失等现象。

ESD的脉冲宽度一般在纳秒级别，EOS的脉冲宽度可以从微秒持续到秒级，后者的损坏程度远远大于前者，短的EOS脉冲损坏比较类似ESD的损坏。

对于EOS事件，在诸多的干扰中浪涌的能量是的，给设备的损坏力强，因此在这里提出了使用浪涌波形（1.2/50uS～8/20uS）进行问题验证。同时，与多个客户对EOS问题进行调研，得出结论，测试等级采用100V～350V/内阻为2ohm的干扰能量可以足以验证EOS事件。

针对笔记本、智能穿戴、机器人、智能家居、手机等手持设备等智能电子产品EOS事件的保护成为当前的热点话题，在诸多的干扰中浪涌的能量是的，给设备的损坏力强。

外加ESD的危害，静电危害是多频次的，损伤范围广，在设备使用过程中， ESD和EOS频繁发生，导致设备的各类故障频发。