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硅瞬态抑制二极管(TVS)

TVS为电压箝位型工作方式，亚纳秒级的响应速度。TVS有多种封装方式，可满足不同场合的需要。当TVS上的电压超过一定的幅度时，器件迅速导通，通过PN结反向过压雪崩击穿将浪涌能量泄放掉。由于这类器件导通后阻抗很小，因此它的箝位电压很平坦，并且很接近工作电压。

硅瞬变电压吸收二极管的特点：

a)优点：响应时间短，漏电流小，击穿电压偏差小。箝位电压低(相对于工作电压)，动作高，无跟随电流(续流)，体积小，每次经受瞬变电压后其性能不会下降，可靠性高。 

b)缺点：由于所有功率都耗散在二极管的PN结上，因此它所承受的功率值较小，允许流过的电流较小。一般的TVS器件的寄生电容较大，如在高速数据线上使用。要用特制的低电容器件，但是低电容器件的额定功率往往较小。 

c)适用场合：浪涌能量较小的场合。如果浪涌能量较大。要与其它大功率浪涌抑制器件一同使用，则把它作为后级防护。

◆硅瞬态抑制二极管的选择：

a)箝位电压VCMAX应不大于电流的允许安全电压。 

b)反向工作电压VRWM应不低于电路的工作电压。一般略高于电路的工作电压。 

c)TVS额定的脉冲功率必须大于电路中出现的瞬态浪涌功率。 

d)对小电流负载的保护，可在二极管之前串接适当的限流电阻。从而可选用小的峰值吸收功率的TVS来担任这一功能。