TVS diode是以硅基制成的元器件，拥有杰出的定位电压（Clamping voltage），和PolyDiode一样可将瞬态浪涌突波电压局限于一预求的安全波动位准，然其是借由蒸镀法，于结晶体上覆以晶膜薄层，电子价体结构，带有负电子和带有正电荷之可移电洞聚集在P-N Junction的相对位置，介于Silicon两屏板间的电绝缘介体出现，等同于寄生性质（parasitic property）的并联电容器。因此，为达EMI Filter功能响应与减少接地充电等之目的，必须另外并联一个或数个高频旁路电容器（High frequency by pass capacitor）。针对及此，可能不利于微小信号高速传输线路的保护应用。
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