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会员类型:
会员年限:11年
标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 单 | 系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 780mA |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)() | 1.5V @ 250μA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 97pF @ 15V |
功率 - | 540mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | Micro3?/SOT-23 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRLML6302PBFTR |