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SR160肖特基二极管参数：

型号：SR160

重复峰值反向电压：60V

直流阻断电压：60V

RMS电压：42V

平均正向整流电流：1.0A

正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：30A

瞬时正向电压值：0.7V

反向电流@25℃：1.0ma

反向电流@100℃：10ma

典型的结电容：110PF

肖特基二极管介绍：

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管应用：

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。